熱電材料
發(fā)表時間：2019-09-08
使用Hot Disk技術(shù)可以很容易地測試小型熱電樣品。在這個例子中測試了兩組熱壓Bi?Te?, p和n型樣品,直徑12毫米和3.5毫米厚度。
樣品信息
兩組熱壓Bi?Te?, p和n型樣品,直徑12毫米和3.5毫米厚度
方法
基本模塊，室溫測試。使用7577型號Kapton探頭來匹配樣本大小。探頭半徑2mm能允許徑向探測深度4mm，軸向探測深度3.5 mm，因此厚度限制了可用探測深度。樣品表面經(jīng)過輕砂處理，以確保光滑的界面和良好的熱接觸。探頭被放置在樣品兩塊樣品中心，并牢牢夾住。
測試
對每個樣品組進行一次初始測試，測試時間為4秒，加熱功率為50 mW。該加熱功率被證實可使p型和n型樣品的最終溫度升高接近3 K。對于n型試樣，測量時間縮短為3秒，使探測深度保持在試樣邊界內(nèi)。
準確試驗按下表進行，反復(fù)試驗間隔15分鐘:
最終結(jié)果
最終結(jié)果經(jīng)過計算后（選點40-180），如下表所示：
n型Bi?Te?顯示了比p型樣品更高的導熱系數(shù),。p型樣品的體積比熱是略低于理論(1.187 MJ / m³K) ,而n型標品更低。這可能是由于n型樣品的密度較低或各向異性較大所致。
