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        1.   離子注入后的活化退火

        2.   沉積氧化膜的退火

        3.   歐姆電極合金化

        4.   PZT，SBT和其它鐵電薄膜的結(jié)晶退火

        5.   硅化物及自對(duì)準(zhǔn)硅化物的生成

        6.   發(fā)光元件，半導(dǎo)體激光基板的熱處理

        7.   超淺結(jié)的生成

        8.   鐵電電容器沉積

        9.   柵氧化膜的生成

      特點(diǎn)：

• 快速熱處理

• 腔體采用水冷，可進(jìn)行快速降溫

• 真空置換氣氛后，可采用流動(dòng)氣氛進(jìn)行熱處理

• 溫度程序設(shè)置和外部信號(hào)輸入可以通過(guò)腦輕松控制

• 加熱過(guò)程的溫度數(shù)據(jù)也可以顯示在電腦上

• 石英保護(hù)板（可選）可以安裝在腔室內(nèi)以防止污染

• 配備了各種安全措施

• 九個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)可實(shí)現(xiàn)不同尺寸樣品均勻的溫度控制

        1.        紅外金面反射爐

        2.        加熱腔

        3.        可編程溫控器

        4.        9個(gè)獨(dú)立的加熱區(qū)

        5.        跨度變換單元

        6.        氣體管路系統(tǒng)

        7.        熱氣排出系統(tǒng)

        8.        爐體框架，開(kāi)關(guān)板

        9.        高溫計(jì)（可選）

        10.     水冷機(jī)（可選）

        11.     真空泵（可選）